HY2852A介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是100kHz~100MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。使用HY2852A或HY2853A數(shù)字Q表具有自動(dòng)計(jì)算介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗(tanδ)。
1 特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在100kHz~100MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制TFT彩屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài),調(diào)諧電容值等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~70MHz(HY2852D), 50kHz~160MHz(HY2853D)測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)源輸出口,
所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
2 主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率100kHz~100MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:
tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):
tanδ:±5%±0.00005,ε:±5%
2.2 Q表
型號(hào) | HY2851D | HY2852A | HY2853A |
工作頻率范圍 | 50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,壓控振蕩器 | 1kHz~70MHz 四位數(shù)顯,數(shù)字合成 精度:±50ppm | 50kHz~160MHz 四位數(shù)顯,數(shù)字合成 精度:±50ppm |
Q值測(cè)量范圍 | 1~1000 三位數(shù)顯,±1Q分辨率 | 1~1000 四位數(shù)顯,±0.1Q分辨率 | 1~1000 四位數(shù)顯,±0.1Q分辨率 |
可調(diào)電容范圍 | 40~500 pF ΔC±3pF | 25~490 pF ±0.1pF分辨率 | 14~230 pF |
電容測(cè)量誤差 | ±1%±1pF | ±0.5%±1pF | ±0.5%±0.5pF |
Q表殘余電感值 | 約20nH | 約20nH | 約8nH |
2.3 介質(zhì)損耗裝置:
2.3.1 平板電容器極片尺寸:
HY916D:Φ38mm和Φ50mm二種.
HY915:Φ38mm .
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:
0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性:
0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:
±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:
25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:
≤2.5×10-4
2.4 電感器:
按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配100μH或250μH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1μH電感器等。
2.5 高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。