兆歐、DAR 和 PI 測(cè)試中涉及的電流

　兆歐、DAR 和 PI 測(cè)試中涉及的電流

　　1、I C – 電容性：電容性浪涌電流通過(guò)充電將電機(jī)中的電勢(shì)提高到測(cè)試電壓。該電流迅速下降并在達(dá)到測(cè)試電壓后的幾秒鐘內(nèi)達(dá)到零。對(duì)于具有高電容的大型電機(jī)，浪涌電流很高?？傂孤╇娏鞴收舷拗当仨氃O(shè)置得足夠高，以避免在測(cè)試的初始階段觸發(fā)限值。

　　2、I A – 吸收：吸收電流使絕緣極化。在隨機(jī)繞線電機(jī)中，該電流也會(huì)在 30 秒到 1 分鐘內(nèi)變?yōu)榱慊蚍浅＝咏?。由于匝間使用了絕緣層，繞線電機(jī)需要更長(zhǎng)的時(shí)間。吸收電流隨時(shí)間的變化用于計(jì)算絕緣電阻測(cè)試中的PI 和 DAR比率。

　　3、I G – 電導(dǎo)：電導(dǎo)電流通過(guò)大部分絕緣體在銅導(dǎo)體和地之間流動(dòng)。如果電機(jī)是新的或未損壞的，該電流通常為零。隨著電機(jī)絕緣老化和破裂或損壞，電導(dǎo)電流可能會(huì)根據(jù)所施加的測(cè)試電壓流動(dòng)。電導(dǎo)電流趨于隨著電壓的增加而加速。該電流有時(shí)被稱為漏電流或作為漏電流的一部分。

　　4、I L – 表面漏電流：根據(jù) IEEE 43，表面漏電流是在繞組表面的污垢中流向接地的電流。在其他標(biāo)準(zhǔn)中稱為表面?zhèn)鲗?dǎo)電流。較臟的電機(jī)具有較高的漏電流和較低的兆歐結(jié)果。在末端繞組上帶有應(yīng)力控制涂層的電機(jī)上，表面漏電流可能會(huì)增加。使用隨機(jī)繞線電機(jī) 1 分鐘或使用模繞電機(jī) 5-10 分鐘后，表面泄漏電流通常是剩余的電流，除非絕緣薄弱或損壞。

　　5、I T – Total：總電流是 4 個(gè)電流的總和。電機(jī)和絕緣測(cè)試儀測(cè)量總電流?？傠娏鞯扔诨蚍浅＝咏^緣電阻測(cè)試結(jié)束時(shí)的表面漏電流。這使操作員可以很好地衡量電機(jī)的臟污程度。它還提醒操作員注意從繞組到接地可能發(fā)生的災(zāi)難性連接。